Страница 2 из 7
Секция 2. Новые технологии формирования тонких пленок. Методики и исследования. Технологическое оборудование.
14 апреля, 14.00
1. D. Braeunlich. Von Ardenne GmbH, Дрезден, Германия. Glass Coating for Energy-Efficient Buildings. Энергосберегающие оконные покрытия.
2. В.В. Пищагин, М.В. Пашков, А.М. Коновалов, *К.Л. Енишерлова, *А.В. Лютцау, *С.В. Миллер, **В.С. Куликаускис. ОАО ГЗ «Пульсар», Москва. *ОАО НПП «Пульсар», Москва. **НИИ ЯФ МГУ, Москва. Исследование влияния ионной обработки в процессе электронно-лучевого напыления наноразмерных слоев металлов на гетероструктуры AlGaN/GaN.
3. М.С. Пискарев, А.Б. Гильман, *А.М. Ионов, Д.Р. Стрельцов, А.С. Кечекьян, А.А.Кузнецов. Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, Москва. *Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл. Модифицирование пленок полиэфирсульфона в разряде постоянного тока.
4. Д.П. Борисов, В.А. Слабодчиков, В.М. Кузнецов, А.Д. Коротаев. Томский государственный университет, Томск. Вакуумно-плазменное оборудование и технологии Томского государственного университета для нанесения функциональных покрытий с плазменно-иммерсионным легированием поверхности изделий.
5. Д.Д. Васильев, Е.И. Малеванная, К.М. Моисеев. МГТУ им. Н. Э. Баумана, Москва. Отработка технологии формирования ультратонких сверхпроводящих пленок WSi на установке ВУП11-М.
6. Ю.П. Маишев, С.Л. Шевчук, В.П. Кудря, Ю.П. Терентьев, *В.А. Мальгичев. Физико-технологический институт РАН, Москва. *ООО "Дона-М", Москва. Осаждение пленок алмазоподобного углерода на рабочие поверхности имплантируемого насоса крови.
7. А.Н. Козлов. Москва. Вращатель для установки электронно-лучевой сварки.
8. А.Н. Козлов. Москва. Модернизация энергоблока ЭЛТА-60.15.
9. М. А. Алиев, Т. М. Гаджиев, Р. М. Гаджиева, С. Н. Каллаев, *М.А. Гитикчиев, *А.М. Исмаилов. Институт физики им. Х.И.Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала. *Дагестанский государственный университет, Махачкала. Технология получения тонких пленок CuIn0,95Ga0,5Se2 методом управляемой двухстадийной селенизации.
10. Э.М. Шпилевский, *А.Д. Замковец, *М.Э. Шпилевский, С.А. Филатов, **Г. Шилагарди. Институт тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси, Минск, Беларусь. *Институт физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь. **Национальный университет Монголии, Улан-Батор, Монголия. Спектральное проявление плазмонного резонанса в металл-фуллереновых наноструктурах.
11. Д. В. Духопельников, Д. В. Кириллов, С.Г. Ивахненко, Е. В. Воробьев, В.Г. Поздняков. МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва. Разрушение поверхности астроситалла под влиянием ионной обработки.
12. Д.В. Духопельников, Д.В. Кириллов, В.С. Булычёв, Е.В. Воробьев. МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва. Поликристаллический кремний как катод вакуумного дугового испарителя.
13. А.Ф. Белянин, М.И. Самойлович, *В.В. Борисов, **Н.И. Сушенцов, *М.А. Тимофеев, *А.А. Пилевский. ОАО «ЦНИТИ «Техномаш», Москва. *Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва. **Поволжский государственный технологический университет, Йошкар-Ола. Пленки нитридов и углеродных материалов в ненакаливаемых катодах.
14. В.К. Егоров, Е.В. Егоров, *М.С. Афанасьев, **Ю.Н. Миронов. ИПТМ РАН, Черноголовка. *ИРЭ РАН, Фрязино, Московская обл. **ООО «НТК МГТУ им. Н.Э. Баумана», Москва. Особенности рентгенофлуоресцентного анализа в условиях ионопучкового возбуждения.
15. В.В. Зеленков, Л.М. Петров, С.Б. Иванчук, В.Д. Семёнов. ОАО «Национальный институт авиационных технологий», Москва. Особенности вольтамперной характеристики вакуумного дугового разряда испарителя с осевым магнитным полем.
16. А.Х. Абдуев, А.Ш. Асваров, А.К. Ахмедов. Институт физики ДНЦ РАН, Махачкала. Влияние паров металла на процесс формирования слоев ТСО на основе ZnO.
17. В.В. Плихунов, *К.В. Григорович, Л.М. Петров, С.Б. Иванчук, *А.М. Арсенкин,*Г.С. Спрыгин, В.Д. Семенов, А.Н. Смирнова. ОАО «Национальный институт авиационных технологий», Москва. *ФГБУН «Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова» РАН, Москва. Формирование свойств поверхностного слоя конструкционной стали типа 40Х при вакуумной ионно-плазменной обработке.
